光刻胶是继硅片、电子特气和光掩模之后的第四大半导体材料，其性能对芯片性能和良率产生直接影响。中国半导体产能全球领先，半导体光刻胶市场需求强劲。随着半导体工艺和制程升级，高端光刻胶需求迅速增长，其中EUV光刻胶占比仍然较小，增长空间广阔。
半导体光刻胶行业壁垒高，市场主要被美日企业占据，JSR、东京应化、美国杜邦、信越化学赛博体育、住友及富士胶片等头部厂商在半导体光刻胶的高端领域中占据极高的市场比重。近年来，随着中国晶圆厂扩产过程中加速验证导入本土光刻胶以及上游树脂国产化进程加快，国内半导体光刻胶厂商迎来发展机遇，目前在 G/I 线、KrF、ArF 等领域已实现一定量产。
光刻胶是一种图形转移介质，依赖于光化学反应，通过曝光显影和刻蚀等工艺，将掩模板上所需的微细图形精确地转移到待加工的基片上。
光刻胶在半导体晶圆制造材料价值中的占比为5%，其辅助材料占比7%，合计达到12%。光刻胶及其相关辅助材料成为继硅片、电子特气和光掩模之后的第四大半导体材料。
半导体制造的核心材料--光刻胶的性能对芯片性能和良率产生直接影响。中国半导体产能全球领先，半导体光刻胶市场需求强劲。数据显示，2023年,中国大陆半导体产能占全球的比重达20%左右,中国大陆半导体光刻胶市场规模占全球的23.1%。
随着中国晶圆厂密集投产，发力半导体成熟制程，预计2028年国内半导体光刻胶市场规模将达到10.36亿美元，2023-2028年CAGR为13.8%。
根据不同的曝光光源波长，半导体光刻胶细分为g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶、EUV光刻胶五类。
G/I线光刻胶是较早的光刻胶技术，成熟应用于汽车电子等领域；KrF光刻胶主要应用于0.25um及以下各制程，特别是在3D NAND堆叠架构的制作中；ArF光刻胶在浸润式光刻系统和负显影工艺等技术的助力下，将先进制程从45nm推进至7nm工艺；EUV光刻胶是最新一代技术，应用于7nm以下集成电路的制造，在逻辑芯片和存储DRAM芯片的生产中十分重要。
随着半导体工艺和制程升级，高端光刻胶需求迅速增长。其中KrF光刻胶受3D NAND堆叠层数增长驱动，ArF光刻胶用量增加受多重光刻工艺增长驱动，光刻道次的增多将使EUV光刻胶需求增加。
根据数据，2023 年中国大陆半导体光刻胶中 ArF 和 KrF合计占据超八成的市场份额，其中ArF光刻胶达44.28%，是 2023 年国内唯一正增长的光刻胶种类。随着人工智能强劲推动 AI 服务器和存储芯片发展，以及集成电路先进制程工艺增长，高端光刻胶需求进一步增长，尤其是在用EUV 技术生产的芯片的增长下，EUV光刻胶有望成为最具增长潜力的细分市场。
半导体光刻胶行业壁垒显著高于PCB光刻胶和LCD光刻胶，集中体现在高纯度以及复杂的生产工艺、巨额的设备投资、对关键原材料的高度依赖上，此外，光刻胶高技术特性使得其质量直接影响下游产品的质量，产业有着较高采购成本与认证成本赛博体育，行业客户壁垒高。
目前全球光刻胶市场主要被美日企业占据，头部厂商包括JSR、东京应化、美国杜邦、信越化学、住友及富士胶片等，尤其在半导体光刻胶的高端领域中，上述企业占据更高的市场比重。
近年来，国内半导体光刻胶厂商迎来机遇。一方面，中国晶圆厂扩产过程中加速验证导入本土光刻胶；另一方面，上游半导体光刻胶树脂涌现了许多国产厂商，供给能力有所提高。目前，国内半导体光刻胶企业在 G/I 线、KrF、ArF 等领域已实现一定量产，未来随着技术壁垒的进一步突破，半导体光刻胶国产替代加速突破。
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第三章 2020-2024年中国半导体光刻胶行业发展环境分析
第四章 2020-2024年全球半导体光刻胶行业发展现状分析
第二节 全球半导体光刻胶行业市场规模与区域分半导体光刻胶情况
第六节 2025-2032年全球半导体光刻胶行业分半导体光刻胶走势预测
第七节 2025-2032年全球半导体光刻胶行业市场规模预测
第七章 2020-2024年中国半导体光刻胶行业市场竞争分析
第九章 2020-2024年中国半导体光刻胶行业需求特点与动态分析
第六节 2025-2032年中国半导体光刻胶行业价格影响因素与走势预测
第十一章 2020-2024年中国半导体光刻胶行业区域市场现状分析
一、影响半导体光刻胶行业区域市场分半导体光刻胶的因素
第九节 2025-2032年中国半导体光刻胶行业市场规模区域分半导体光刻胶预测
